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晶闸管可控硅的工作电压
作者:海山机电  [2012-6-28 15:22:24]

过电压保护
由于晶闸管的击穿电压接近工作电压,线路中产生的过电压容易造成器件电压击穿,正常工作时凡发生超过晶闸管能承受的最高峰值电压的尖脉冲等统称为过电压。产生过电压的外部原因主要是雷击、电网电压激烈波动或干扰,内部原因主要是电路状态发生变化时积累的电磁能量不能及时消散。过电压极易造成模块损坏,因此必须采取必要的限压保护措施,把晶闸管承受的过电压**在正反向不重复峰值电压VRSM 、VDSM 值以内。常用的保护措施如下:
※晶闸管关断过电压(换流过电压、空穴积蓄效应过电压)保护
当晶闸管关断、正向电流下降到零时,管芯内部会残留许多载流子,在反向电压的作用下会瞬间出现反向电流,使残留的载流子迅速消失,形成极大的di/dt。即使线路中串联的电感很小,由于反向电势V = -L di/dt,所以也能产生很高的电压尖峰(或毛刺),如果这个尖峰电压超过晶闸管允许的最大峰值电压,就会损坏器件。对于这种尖峰电压一般常用的方法是在器件两端并联阻容吸收回路,利用电容两端电压不能突变的特性吸收尖峰电压。阻容吸收回路要尽可能靠近晶闸管A、K端子,引线要尽可能短,最好采用无感电阻,千万不能借用门极回路的辅助阴极导线(因辅助阴极导线的线径很细,回路中过大的电流会将该线烧断)。阻容无件的参数可按以下的经验值和公式选取:
晶闸管阻容吸收元件经验数据
模块I TAV(A)        1000        800        500        200        100        50        20        10
电阻R(Ω)        1        2        5        10        20        40        80        100
电容C(uF)        2        1        1        0.5        0.25        0.2        0.15        0.1
上表中电阻的功率由下式确定:
P R= fCU 2 m×10 -6
式中: PR -----电阻功率(W)
f------频率(50Hz)
C----- 串联电容(uF),其耐压一般为晶闸管耐压的1.3倍;
U m-----晶闸管工作峰值电压(V);

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